技術(shù)參數(shù)
● 儀器本底:
18cph(4~6MeV) ;
28cph(3~9MeV);
● 探測(cè)效率:
≥45%(4π);
≥90%(2π);
● 樣品源面積:≥450cm2;
● 能量分辨率:
40keV(對(duì)φ11mm 210Po電鍍?cè)?;
60keV(對(duì)大面積樣品源);
● 最小可探測(cè)限:4.0×10-4Bq(3σ30h);
● 長(zhǎng)期穩(wěn)定性:道漂≤0.2~0.4%(30h);
● 最低可探測(cè)活度濃度:
5.3×10-4Bq/L水樣;
1.7×10-3Bq/g固體樣。
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